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用平面霍尔传感器进行的维磁模拟纳米检测技术

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资料介绍:

用平面霍尔传感器进行的维磁模拟纳米检测技术(中文1700字,英文PDF)
1.    绪论
为了分析给出的样品的分子组成,微米或纳米等级的超级顺磁性的球或珠被绑定标记到生物大分子上,而磁性珠的的离散域被MR原理检测到。由确定的荧光检测理念比较来说,基于磁电阻的生物传感器有两个优点:(1)高灵敏度 (2)不存在后台磁信号。此外,磁共振传感器很容易被集成,所以在单一芯片上施行多路分析成为可能【5】。
最近,平面传感器基于各项异性磁电阻(ARM)的影响,已经成为了一个很好的候选人【7】【8】。因为平面霍尔传感器的方形几何形状,它为小珠检测采用了有效的表面。和阀值电压或者GMR传感器相比,一些目标标签将会安排在了一个无关紧要的区域。在本文中,为了纳米磁珠的检测,一种使用平面霍尔传感器和采用微磁的计算方法将会被呈现出来。根据已公布的实验结果,仿真的结果是一致的【7】。
2.    微磁模型
一个被用来磁珠检测的典型平面霍尔传感器有一个交换层、磁感应层、和钝化层,器件装置图如图1所示。平面霍尔传感器是基于AMR效应的。直流电适用于易磁化轴的感应层( 方向),均匀的横向磁场 沿着y方向, [来源:http://Doc163.com]

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